Der IRF520N ist ein N-Kanal-HEXFET®-Leistungs-MOSFET. Es hat einen geringen Widerstand pro Siliziumfläche und eine schnelle Schaltleistung. Dieser Mosfet hat ein robustes Design und ist sehr effizient.
Mosfet-Transistor IRF520N
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Der IRF520N ist ein N-Kanal-HEXFET®-Leistungs-MOSFET. Es hat einen geringen Widerstand pro Siliziumfläche und eine schnelle Schaltleistung. Dieser Mosfet hat ein robustes Design und ist sehr effizient.