Der BS170 MOSFET ist ein N-Kanal-Feldeffekttransistor. Es wird mithilfe der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt.Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ausgelegt, den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren. Gleichzeitig bietet es eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Der MOSFET kann in den meisten Anwendungen verwendet werden, die bis zu 500 mA Gleichstrom erfordern. Es eignet sich auch für Niederspannungs- und Schwachstromanwendungen wie:
Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen.
N-Kanal MOSFET BS170
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Der BS170 MOSFET ist ein N-Kanal-Feldeffekttransistor. Es wird mithilfe der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt.Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ausgelegt, den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren. Gleichzeitig bietet es eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Der MOSFET kann in den meisten Anwendungen verwendet werden, die bis zu 500 mA Gleichstrom erfordern. Es eignet sich auch für Niederspannungs- und Schwachstromanwendungen wie:
Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen.