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N-Kanal-MOSFET 2N7000
Beschreibung N-Kanal-MOSFET 2N7000
Der 2N7000 ist ein N-Kanal-Feldeffekttransistor mit Anreicherungsmodus. Es wird mithilfe der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ausgelegt, den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren . Gleichzeitig bietet es eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Es kann in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400 mA Gleichstrom erfordern, und kann Impulsströme von bis zu 2 A liefern . Es eignet sich auch für Niederspannungs- und Schwachstromanwendungen wie:
Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen.
N-Kanal-MOSFET 2N7000 Die Preise für Artikel, die von Electronics for You verkauft werden, enthalten die Mehrwertsteuer. Abhängig von Ihrer Lieferadresse können die Mehrwertsteuer und Lieferkosten beim Checkout variieren.
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5159+ BewertungenAlle ansehenSKU: TRAN3005 Kategorien: Components , Capacitors & Transistors
Beschreibung N-Kanal-MOSFET 2N7000
Der 2N7000 ist ein N-Kanal-Feldeffekttransistor mit Anreicherungsmodus. Es wird mithilfe der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ausgelegt, den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren . Gleichzeitig bietet es eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Es kann in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400 mA Gleichstrom erfordern, und kann Impulsströme von bis zu 2 A liefern . Es eignet sich auch für Niederspannungs- und Schwachstromanwendungen wie:
Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen.