Der IRF540N ist ein 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 3-Pin-TO-220AB-Gehäuse.Es verwendet fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus bietet der IRF540N eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Dies macht diesen Mosfet effizient und zuverlässig.
Mosfet-Transistor IRF540N
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Der IRF540N ist ein 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 3-Pin-TO-220AB-Gehäuse.Es verwendet fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus bietet der IRF540N eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Dies macht diesen Mosfet effizient und zuverlässig.